MOSFET N-CH 200V 58A TO268 (IXFT58N20Q TRL)
Part Number: IXFT58N20Q TRL
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: HiPerFET™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 29A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 4mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 300W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-268 (IXFT)
- Корпус: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Цена по запросу